Elektromagnetische Induktions-Heizungs-Hochfrequenz IGBT

Hochfrequenzinduktions-Heizung

Prinzip der Induktionsheizung

Das Prinzip der Hochfrequenzinduktionsheizung ist das, Hochfrequenzwechselstrom an einer Führung anzuwenden, die zum Kreislauf (normalerweise kupfernes Rohr) gekräuselt um Fluss zu produzieren, dann das Metall zu diesem Bereich setzt wird, um den Fluss durch ihn laufen zu lassen und Wirbelstrom wird erzeugt in Richtung des selbst-Gefangennehmens mit Fluss (Drehstrom), der induzierte Strom erzeugt dann Hitze unter Einfluss des Wirbelstroms, also wird diese Heizmethode Induktionsheizung genannt. Folglich können Metall und andere Gegenstände unter erhitzt ohne Kontakt erhitzt werden. In diesem Moment baut der Charakter des Wirbelstroms in dem, den die Induktionsheizung auf dem Gegenstand, der die Spule nahe gelegen ist, nach außen stark aber innerlich schwach ist. mit diesem Prinzip. Diese Heizfläche kann erhitzt konzentriert werden, wo man erforderlich sofort Effekt, dadurch den Produktionsertrag erzielt und Arbeitsfähigkeit werden beide verbessert.

Vorteil der Induktionsheizung

Induktionsheizung kann das Metall zu jeder bestimmten Temperatur einschließlich den schmelzenden Punkt erhitzen.

Induktionsheizung tut nicht wie andere normale traditionelle Heizmethode; sie kann Hitze direkt aus dem Metall selbst produzieren.

Induktionsheizung kann das gesamte Metall erhitzen; auch sie kann ein bestimmtes Teil des Metalls erhitzen.

Induktionsheizung kann Leistungsaufnahme als andere traditionelle elektrische Heizmethode sparen.

Anwendung der Induktionsheizung

Wärmebehandlung: temperndes, löschendes, verhärtendes, schmiedendes, milderndes, etc. Metall.

Heiße Formung: Warmwalzen, Hitzeumkippen, heißes Hämmern, etc.

Schweißen: das Metall, das, Schneiderwerkzeugschweißen bronziert, sah Stückchenschweißen, das Rohrmaterial, das bronzieren, das unterschiedliche bronzierende Metall, etc.

Einschmelzen: Gold-, des Silbers, des Kupfers, Eisen-, materielles Aluminiumeinschmelzen, etc.

Andere Anwendung: Psychiaterssitz, einzelnes Kristallwachstum des Halbleiters, Heißsiegelfähigkeit, etc.